半導(dǎo)體設(shè)備中的微氧控制技術(shù)

       硅片在傳輸過程中、升降舟（進(jìn)出反應(yīng)室）前后過程中，會(huì)受到設(shè)備內(nèi)部氣氛中氧分子的影響，導(dǎo)致非必要氧化層的產(chǎn)生，造成硅片的品質(zhì)降低甚至報(bào)廢現(xiàn)象。因此，通常需要采取氧氣（O2）分析儀和氣體質(zhì)量流量控制器來閉環(huán)控制和降低設(shè)備內(nèi)部氣氛中的含氧量。同時(shí)，為避免微氧控制過程中氣氛壓力超出安全范圍，一般采用了基于PLC的閉環(huán)控制模型來控制氣氛中的壓力，確保微氧控制良好情況下壓力系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。

       微氧控制是半導(dǎo)體立式爐、氧化爐、擴(kuò)散爐、退火/推進(jìn)設(shè)備的關(guān)鍵性能指標(biāo)。上海高傳公司的SenzTx/Microx氧氣分析儀采用螺紋或法蘭安裝，量程從1ppm-25%，響應(yīng)快，精度高，長(zhǎng)期穩(wěn)定性好，使用壽命長(zhǎng)，特別適合半導(dǎo)體氧化/退火爐的工況。目前已經(jīng)在國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備廠商批量使用，是一款可靠、有效的產(chǎn)品。